सतह माउंट इलेक्ट्रॉनिक्स JFET IC N-CH 30V 225mW SOT23-3 MMBF4393LT1G
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निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
सरफेस माउंट इलेक्ट्रॉनिक्स JFET IC N-CH 30V 225mW SOT23-3
श्रेणी:
एलईडी ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स आईसी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर जेएफईटी
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस):
30 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (टीआर) कट टेप (सीटी) डिजी-रील®
श्रृंखला:
-
करंट - ड्रेन (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 एमए @ 15 वी
एमएफआर:
एकमुश्त
वोल्टेज - कटऑफ (वीजीएस ऑफ) @ आईडी:
500 एमवी @ 10 एनए
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
SOT-23-3 (TO-236)
पैकेज / मामला:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
पावर - मैक्स:
225 मेगावाट
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
14pF @ 15V
प्रतिरोध - आरडीएस (चालू):
100 ओम
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
मूल उत्पाद संख्या:
एमएमबीएफ4393
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
प्रमुखता देना:
इलेक्ट्रॉनिक्स और आईसी
,225 मेगावाट की इलेक्ट्रॉनिक्स
,MMBF4393LT1G
परिचय
JFET एन-चैनल 30 V 225 mW सतह माउंट SOT-23-3 (TO-236)
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