FDP036N10A
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET एन-Ch 100V 120A TO220-3
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-220-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
116 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
3.6mOhm @ 75A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
ट्यूब
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
100 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
7295 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
श्रृंखला:
पॉवरट्रेंच®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
TO-220-3
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
120ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
333W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एफडीपी036
प्रमुखता देना:
FDP036N10A MOSFET semiconductor
,FDP036N10A power IC
,FDP036N10A electronic component
परिचय
एन-चैनल 100 वी 120 ए (टीसी) 333 डब्ल्यू (टीसी) छेद के माध्यम से TO-220-3
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