एफडीएमएस7670
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
8-पॉवरटीडीएफएन
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
56 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
3.8mOhm @ 21A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
4105 पीएफ @ 15 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
पॉवरट्रेंच®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-पीक्यूएफएन (5x6)
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
21A (Ta), 42A (Tc)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
2.5W (Ta), 62W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एफडीएमएस76
प्रमुखता देना:
FDMS7670 power MOSFET
,FDMS7670 semiconductor IC
,FDMS7670 with warranty
परिचय
एन-चैनल 30 V 21A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 62W (Tc) सतह माउंट 8-PQFN (5x6)
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