एनटीजीएस3446टी1जी
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
1.2V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
SOT-23-6 पतला, TSOT-23-6
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
15 एनसी @ 4.5 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
45mOhm @ 5.1A, 4.5V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
2.5V, 4.5V
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
20 वि
वीजीएस (अधिकतम):
± 12 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
750 पीएफ @ 10 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
6-टीएसओपी
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
2.5ए (टीए)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
500mW (टा)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एनटीजीएस3446
प्रमुखता देना:
NTGS3446T1G semiconductor IC
,NTGS3446T1G transistor IC
,NTGS3446T1G electronic component
परिचय
एन-चैनल 20 V 2.5A (Ta) 500mW (Ta) सतह माउंट 6-TSOP
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