एनटीटीएफएस5116पीएलटीएजी
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
एमओएसएफईटी पी-सीएच 60V 5.7A 8WDFN
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
8-पॉवरडब्ल्यूडीएफएन
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
25 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
52mOhm @ 6A, 10V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
60 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1258 पीएफ @ 30 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-डब्ल्यूडीएफएन (3.3x3.3)
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
5.7ए (टा)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
3.2W (टा), 40W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एनटीटीएफएस5116
प्रमुखता देना:
NTTFS5116PLTAG semiconductor IC
,NTTFS5116PLTAG power MOSFET
,NTTFS5116PLTAG electronic component
परिचय
पी-चैनल 60 V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) सतह माउंट 8-WDFN (3.3x3.3)
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