FDB33N25TM
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET एन-सीएच 250V 33A D2PAK
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
48 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
94mOhm @ 16.5A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
250 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 30 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
2135 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
यूनीफेट™
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
D²PAK (TO-263)
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
33ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
235W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
FDB33N25
प्रमुखता देना:
FDB33N25TM MOSFET semiconductor
,FDB33N25TM power IC
,FDB33N25TM electronic component
परिचय
एन-चैनल 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) सतह माउंट D2PAK (TO-263)
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