एनवीएच4एल080एन120एससी1
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निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
सिकफेट एन-सीएच 1200वी 29ए टीओ247-4
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4.3V @ 5mA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-247-4
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
56 एनसी @ 20 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
110mOhm @ 20A, 20V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
20 वी
पैकेज:
ट्यूब
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
1200 वी
वीजीएस (अधिकतम):
+ 25 वी, -15 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1670 पीएफ @ 800 वी
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
श्रृंखला:
ऑटोमोटिव, AEC-Q101
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
TO-247-4L
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
29A (Tc)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
170mW (Tc)
प्रौद्योगिकी:
SiCFET (सिलिकॉन कार्बाइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एनवीएच4एल080
परिचय
एन-चैनल 1200 V 29A (Tc) 170mW (Tc) छेद के माध्यम से TO-247-4L
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