एफडीसी5612
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
SOT-23-6 पतला, TSOT-23-6
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
18 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
55mOhm @ 4.3A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
6 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
60 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
650 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
पॉवरट्रेंच®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
सुपरसॉट™-6
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
4.3ए (ता)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
1.6W (टा)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एफडीसी5612
प्रमुखता देना:
FDC5612 MOSFET semiconductor IC
,FDC5612 power transistor IC
,FDC5612 electronic component IC
परिचय
एन-चैनल 60 V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) सतह माउंट SuperSOTTM-6
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