एफडीएस6576
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
एमओएसएफईटी पी-सीएच 20वी 11ए 8एसओआईसी
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
1.5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
8-SOIC (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
60 एनसी @ 4.5 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
14mOhm @ 11A, 4.5V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
2.5V, 4.5V
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
20 वि
वीजीएस (अधिकतम):
± 12 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
4044 पीएफ @ 10 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
पॉवरट्रेंच®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-एसओआईसी
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
11A (Ta)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
2.5W (टा)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एफडीएस65
प्रमुखता देना:
FDS6576 MOSFET semiconductor IC
,FDS6576 power management IC
,FDS6576 electronic component IC
परिचय
पी-चैनल 20 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) सतह माउंट 8-SOIC
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