NTH4L045N065SC1
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निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
सिलिकॉन कार्बाइड मॉसफेट, एनचैनल
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
105 एनसी @ 18 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
पैकेज:
ट्यूब
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1870 पीएफ @ 325 वी
श्रृंखला:
-
वीजीएस (अधिकतम):
+22वी, -8वी
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4.3V @ 8mA
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
TO-247-4L
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
50mOhm @ 25A, 18V
एमएफआर:
एकमुश्त
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
15 वी, 18 वी
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
187W (Tc)
पैकेज / मामला:
TO-247-4
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
650 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
55ए (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
SiCFET (सिलिकॉन कार्बाइड)
एफईटी सुविधा:
-
परिचय
एन-चैनल 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) छेद के माध्यम से TO-247-4L
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