NTBG080N120SC1
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4.3V @ 5mA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-263-8, D²Pak (7 लीड्स + टैब), TO-263CA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
56 एनसी @ 20 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
110mOhm @ 20A, 20V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
20 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
1200 वी
वीजीएस (अधिकतम):
+25, -15वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1154 पीएफ @ 800 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
D2PAK-7
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
30ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
179W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
SiCFET (सिलिकॉन कार्बाइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एनटीबीजी080
प्रमुखता देना:
1200V silicon carbide MOSFET
,NTBG080N120SC1 semiconductor IC
,high power MOSFET with warranty
परिचय
एन-चैनल 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) सतह माउंट D2PAK-7
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