एफडीएमएस8333एल

निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
मॉसफेट एन सीएच 40वी 22ए पावर 56
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
8-पॉवरटीडीएफएन
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
64 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
3.1mOhm @ 22A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR) कट टेप (सीटी) Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
40 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
4545 पीएफ @ 20 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
पॉवरट्रेंच®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-पीक्यूएफएन (5x6)
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
22ए (टीए), 76ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
2.5W (Ta), 69W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एफडीएमएस8333
प्रमुखता देना:

FDMS8333L power MOSFET

,

FDMS8333L semiconductor IC

,

FDMS8333L electronic component

परिचय
एन-चैनल 40 V 22A (Ta), 76A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) सतह माउंट 8-PQFN (5x6)
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