FDN352AP
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
मॉसफेट पी-सीएच 30वी 1.3ए सुपरसॉट3
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2.5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
1.9 एनसी @ 4.5 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
180mOhm @ 1.3A, 10V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 25 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
150 पीएफ @ 15 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
पॉवरट्रेंच®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
एसओटी-23-3
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
1.3ए (टीए)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
500mW (टा)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एफडीएन352
प्रमुखता देना:
FDN352AP MOSFET semiconductor IC
,FDN352AP power management IC
,FDN352AP with warranty IC
परिचय
पी-चैनल 30 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) सतह माउंट SOT-23-3
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