एनटीबीजी025एन065एससी1
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) मॉसफेट - 1
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4.3V @ 15.5mA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-263-8, D²Pak (7 लीड्स + टैब), TO-263CA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
164 एनसी @ 18 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
28.5mOhm @ 45A, 18V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
15 वी, 18 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
650 वी
वीजीएस (अधिकतम):
+22वी, -8वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
3480 पीएफ @ 325 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
D2PAK-7
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
106ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
395W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
SiCFET (सिलिकॉन कार्बाइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एनटीबीजी025
प्रमुखता देना:
Semiconductor IC power transistor
,NTBG025N065SC1 MOSFET
,65V semiconductor IC
परिचय
एन-चैनल 650 V 106A (Tc) 395W (Tc) सतह माउंट D2PAK-7
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