बीएसएस138एलटी1जी
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET एन-सीएच 50V 200MA SOT23-3
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
1.5 वी @ 1 एमए
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
50 पीएफ @ 25 वी
श्रृंखला:
-
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
SOT-23-3 (TO-236)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
3.5ओम @ 200mA, 5V
एमएफआर:
एकमुश्त
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
5V
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
225mW (टा)
पैकेज / मामला:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
50 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
200mA (टीए)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
बीएसएस138
प्रमुखता देना:
BSS138LT1G MOSFET transistor
,BSS138LT1G semiconductor IC
,BSS138LT1G SMD component
परिचय
एन-चैनल 50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) सतह माउंट SOT-23-3 (TO-236)
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