FQT1N60CTF-WS
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निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-261-4, TO-261AA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
6.2 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
11.5ओम @ 100एमए, 10वी
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
600 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 30 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
170 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
क्यूएफईटी®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
एसओटी-223-4
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
200mA (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
2.1W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
FQT1N60
परिचय
एन-चैनल 600 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) सतह माउंट SOT-223-4
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