FDD86569-F085
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
52 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
5.7mOhm @ 80A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
60 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
2520 पीएफ @ 30 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PowerTrench®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
TO-252AA
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
90ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
150W (टीजे)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एफडीडी86569
प्रमुखता देना:
FDD86569-F085 MOSFET semiconductor
,FDD86569-F085 power IC
,FDD86569-F085 electronic component
परिचय
एन-चैनल 60 V 90A (Tc) 150W (Tj) सतह माउंट TO-252AA
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