NTD25P03LT4G
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET पी-सीएच 30V 25A DPAK
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
20 एनसी @ 5 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
80mOhm @ 25A, 5V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4वी, 5वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 15 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1260 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
डीपीएके
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
25ए (ता)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
75W (टीजे)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एनटीडी25
प्रमुखता देना:
Semiconductor IC NTD25P03LT4G
,NTD25P03LT4G MOSFET transistor
,NTD25P03LT4G power management IC
परिचय
पी-चैनल 30 V 25A (Ta) 75W (Tj) सतह माउंट DPAK
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