FDD86102
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
19 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
24mOhm @ 8A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
6 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
100 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1035 पीएफ @ 50 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
पॉवरट्रेंच®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
TO-252AA
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
8ए (टीए), 36ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
3.1W (Ta), 62W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एफडीडी861
प्रमुखता देना:
FDD86102 MOSFET semiconductor IC
,FDD86102 power management IC
,FDD86102 electronic component IC
परिचय
एन-चैनल 100 V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) सतह माउंट TO-252AA
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