NVMFS5113PLWFT1G
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निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2.5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
8-पॉवरटीडीएफएन, 5 लीड्स
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
83 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
14mOhm @ 17A, 10V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
60 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
4400 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
ऑटोमोटिव, AEC-Q101
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
5-डीएफएन (5x6) (8-एसओएफएल)
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
10A (Ta), 64A (Tc)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
3.8W (Ta), 150W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एनवीएमएफएस5113
परिचय
पी-चैनल 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) सतह माउंट 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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