FDP52N20
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-220-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
63 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
49mOhm @ 26A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
ट्यूब
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
200 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 30 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
2900 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
श्रृंखला:
यूनीफेट™
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
TO-220-3
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
52A (Tc)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
357W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एफडीपी52
प्रमुखता देना:
FDP52N20 MOSFET semiconductor
,FDP52N20 power IC
,FDP52N20 electronic component
परिचय
एन-चैनल 200 वी 52 ए (टीसी) 357 डब्ल्यू (टीसी) छेद के माध्यम से TO-220-3
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