NTMFS5C410NLT1G
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
8-पॉवरटीडीएफएन, 5 लीड्स
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
143 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
0.9mOhm @ 50A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
40 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
8862 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
5-डीएफएन (5x6) (8-एसओएफएल)
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
46ए (टीए), 302ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
3.2W (Ta), 139W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एनटीएमएफएस5
प्रमुखता देना:
Semiconductor IC NTMFS5C410NLT1G
,NTMFS5C410NLT1G MOSFET
,NTMFS5C410NLT1G power transistor
परिचय
एन-चैनल 40 V 46A (Ta), 302A (Tc) 3.2W (Ta), 139W (Tc) सतह माउंट 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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