एफडीसी5614पी
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
मॉसफेट पी-सीएच 60वी 3ए सुपरसॉट6
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
SOT-23-6 पतला, TSOT-23-6
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
24 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
105mOhm @ 3A, 10V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
60 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
759 पीएफ @ 30 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
पॉवरट्रेंच®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
सुपरसॉट™-6
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
3ए (ता)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
1.6W (टा)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एफडीसी5614
प्रमुखता देना:
FDC5614P MOSFET semiconductor IC
,FDC5614P power management IC
,FDC5614P electronic component IC
परिचय
पी-चैनल 60 V 3A (Ta) 1.6W (Ta) सतह माउंट SuperSOTTM-6
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