NTF3055L108T1G
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET एन-सीएच 60V 3A SOT223
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-261-4, TO-261AA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
15 एनसी @ 5 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
120mOhm @ 1.5A, 5V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
5V
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
60 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 15 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
440 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
एसओटी-223 (टीओ-261)
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
3ए (ता)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
1.3W (टा)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एनटीएफ3055
प्रमुखता देना:
Semiconductor IC NTF3055L108T1G
,NTF3055L108T1G power transistor
,NTF3055L108T1G electronic component
परिचय
एन-चैनल 60 V 3A (Ta) 1.3W (Ta) सतह माउंट SOT-223 (TO-261)
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