FCD360N65S3R0
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 650V 10A डीपीएके
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4.5V @ 1mA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
18 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
360mOhm @ 5A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
650 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 30 वी
उत्पाद की स्थिति:
नए डिजाइन के लिए नहीं
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
730 पीएफ @ 400 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
सुपरफेट® III
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
डी-पाक (TO-252)
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
10A (Tc)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
83W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
FCD360
प्रमुखता देना:
FCD360N65S3R0 semiconductor IC
,FCD360N65S3R0 power transistor
,FCD360N65S3R0 high voltage IC
परिचय
एन-चैनल 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) सतह माउंट D-PAK (TO-252)
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