SIHB24N80AE-GE3
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
एफईटी सुविधा:
-
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्यूब
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
श्रृंखला:
-
वीजीएस (अधिकतम):
± 30 वी
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
89 एनसी @ 10 वी
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
D²PAK (TO-263)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
184mOhm @ 10A, 10V
एमएफआर:
विशाय सिलिकॉनिक्स
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1836 पीएफ @ 100 वी
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
800 वी
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
208W (टीसी)
पैकेज / मामला:
TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
21A (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एसआईएचबी24
परिचय
एन-चैनल 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) सतह माउंट D2PAK (TO-263)
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SI7463ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
छवि | भाग # | विवरण | |
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SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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