2V7002LT1G
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2.5V @ 250µA
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
50 पीएफ @ 25 वी
श्रृंखला:
ऑटोमोटिव, AEC-Q101
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
पैकेज:
टेप और रील (टीआर) कट टेप (सीटी)
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
SOT-23-3 (TO-236)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
7.5Ohm @ 500mA, 10V
एमएफआर:
एकमुश्त
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
5 वी, 10 वी
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
225mW (टा)
पैकेज / मामला:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
60 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
115एमए (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
2वी7002
प्रमुखता देना:
Semiconductor IC 2V7002LT1G
,IC chip 2V7002LT1G
,2V7002LT1G semiconductor component
परिचय
एन-चैनल 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) सतह माउंट SOT-23-3 (TO-236)
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