FDB86363-F085
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
150 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
2.4mOhm @ 80A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
80 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
पिछली बार खरीदें
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
10000 पीएफ @ 40 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PowerTrench®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
D²PAK (TO-263)
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
110ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
300W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
FDB86363
प्रमुखता देना:
Semiconductor IC FDB86363-F085
,IC chip FDB86363-F085
,FDB86363-F085 integrated circuit
परिचय
एन-चैनल 80 V 110A (Tc) 300W (Tc) सतह माउंट D2PAK (TO-263)
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