FCP190N60E
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3.5V @ 250μA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-220-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
82 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
190mOhm @ 10A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
ट्यूब
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
600 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
नए डिजाइन के लिए नहीं
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
3175 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
श्रृंखला:
सुपरफेट® II
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
TO-220-3
एमएफआर:
एकमुश्त
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
20.6ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
208W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
FCP190
प्रमुखता देना:
FCP190N60E power MOSFET
,FCP190N60E semiconductor IC
,FCP190N60E high-performance transistor
परिचय
एन-चैनल 600 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) छेद के माध्यम से TO-220-3
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