MMUN2132LT1G
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर - प्री-बायस्ड 100mA 50V BRT PNP
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता:
पीएनपी
उत्पाद श्रेणी:
द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर - पूर्व-पक्षपाती
घुड़सवार शैली:
एसएमडी/एसएमटी
विशिष्ट अवरोधक अनुपात:
1
पीडी - बिजली अपव्यय:
246 मेगावाट
कलेक्टर- एमिटर वोल्टेज वीसीईओ मैक्स:
50 वी
पैकेज / मामला:
एसओटी-23-3
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान:
+ 150 सी
डीसी कलेक्टर/बेस गेन एचएफई मिन:
15
पैकेजिंग:
रील
विन्यास:
एकल
श्रृंखला:
एमएमयूएन2132एल
विशिष्ट इनपुट अवरोधक:
4.7 कोहम
पीक डीसी कलेक्टर करंट:
100 एमए
निर्माता:
एकमुश्त
सतत कलेक्टर वर्तमान:
0.1 ए
प्रमुखता देना:
MMUN2132LT1G semiconductor IC
,MMUN2132LT1G transistor IC
,MMUN2132LT1G electronic component
परिचय
MMUN2132LT1G, onsemi से, Bipolar Transistors - Pre-Biased है.हम जो पेशकश करते हैं उसकी वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी कीमत है, जो मूल और नए भागों में हैं.यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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