MUN5235DW1T1G
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर - प्री-बायस्ड 100mA 50V BRT डुअल NPN
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता:
एनपीएन
उत्पाद श्रेणी:
द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर - पूर्व-पक्षपाती
घुड़सवार शैली:
एसएमडी/एसएमटी
विशिष्ट अवरोधक अनुपात:
0.047
पीडी - बिजली अपव्यय:
187 मेगावाट
कलेक्टर- एमिटर वोल्टेज वीसीईओ मैक्स:
50 वी
पैकेज / मामला:
एसओटी-363-6
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान:
+ 150 सी
डीसी कलेक्टर/बेस गेन एचएफई मिन:
10 वी पर 5 एमए पर 80
पैकेजिंग:
रील
विन्यास:
दोहरी
श्रृंखला:
MUN5235DW1
विशिष्ट इनपुट अवरोधक:
2.2 कोहम्स
पीक डीसी कलेक्टर करंट:
100 एमए
निर्माता:
एकमुश्त
सतत कलेक्टर वर्तमान:
0.1 ए
प्रमुखता देना:
Semiconductor IC MUN5235DW1T1G
,MUN5235DW1T1G transistor
,IC component MUN5235DW1T1G
परिचय
MUN5235DW1T1G, onsemi से, द्विध्रुवीय ट्रांजिस्टर है - पूर्व-पक्षपाती.हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है, जो मूल और नए भागों में हैं.यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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