NCP81071BDR2G
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
आईसी मॉसफेट डीवीआर एचएस 5ए डुअल 8एसओआईसी
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
उत्पाद श्रेणी:
गेट चालक
हाई साइड वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप):
-
उदय / पतन का समय (टाइप):
8एनएस, 8एनएस
लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH:
1.2V, 1.8V
वोल्टेज - आपूर्ति:
4.5 वी ~ 20 वी
चैनल प्रकार:
स्वतंत्र
@ qty:
0
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
निर्माता:
एकमुश्त
न्यूनतम मात्रा:
2500
Factory Stock:
0
परिचालन तापमान:
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 140 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
ड्राइवरों की संख्या:
2
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-एसओआईसी
भाग की स्थिति:
सक्रिय
पैकेजिंग:
टेप और रील (TR)
गेट प्रकार:
एन-चैनल MOSFET
संचालित विन्यास:
निम्न पक्ष
निवेष का प्रकार:
उल्टा नहीं करने वाला
पैकेज / मामला:
8-SOIC (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक):
5ए, 5ए
प्रमुखता देना:
NCP81071BDR2G semiconductor IC
,NCP81071BDR2G power management IC
,NCP81071BDR2G voltage regulator IC
परिचय
NCP81071BDR2G, onsemi से, गेट ड्राइवर्स है. हम क्या पेशकश वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है, जो मूल और नए भागों में कर रहे हैं.यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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