एस.टी.एफ.11एनएम80
निर्माता:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-65 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-220-3 पूर्ण पैक
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
43.6 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
400mOhm @ 5.5A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
ट्यूब
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
800 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 30 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1630 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
श्रृंखला:
एमडीएमश™
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
TO-220FP
एमएफआर:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
11ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
35W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एस.टी.एफ.11
प्रमुखता देना:
STF11NM80 power MOSFET
,STF11NM80 semiconductor IC
,STF11NM80 high voltage transistor
परिचय
एन-चैनल 800 V 11A (Tc) 35W (Tc) छेद के माध्यम से TO-220FP
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