SCTW70N120G2V
निर्माता:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
ट्रांस एसजेटी एन-सीएच 1200वी 91ए एचआईपी247
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4.9V @ 1mA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 200 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-247-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
150 एनसी @ 18 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
30mOhm @ 50A, 18V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
18 वी
पैकेज:
ट्यूब
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
1200 वी
वीजीएस (अधिकतम):
+22 वी, -10 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
3540 पीएफ @ 800 वी
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
HiP247™
एमएफआर:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
91ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
547W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
SiCFET (सिलिकॉन कार्बाइड)
मूल उत्पाद संख्या:
SCTW70
प्रमुखता देना:
सेमीकंडक्टर आईसी SCTW70N120G2V
,SCTW70N120G2V पावर ट्रांजिस्टर
,SCTW70N120G2V उच्च वोल्टेज आईसी
परिचय
एन-चैनल 1200 V 91A (Tc) 547W (Tc) होल के माध्यम से HiP247TM
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