SCT040H65G3AG
निर्माता:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
ऑटोमोटिव-ग्रेड सिलिकॉन कार्बाइड
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4.2V @ 1mA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-263-8, D²Pak (7 लीड्स + टैब), TO-263CA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
39.5 एनसी @ 18 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
55mOhm @ 20A, 18V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
15 वी, 18 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
650 वी
वीजीएस (अधिकतम):
+18वी, -5वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
920 पीएफ @ 400 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
ऑटोमोटिव, AEC-Q101
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
H2PAK-7
एमएफआर:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
30ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
221W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
SiCFET (सिलिकॉन कार्बाइड)
मूल उत्पाद संख्या:
SCT040
प्रमुखता देना:
SCT040H65G3AG semiconductor IC
,SCT040H65G3AG power module
,SCT040H65G3AG with warranty
परिचय
एन-चैनल 650 V 30A (Tc) 221W (Tc) सतह माउंट H2PAK-7
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