एसटीपी100एन10एफ7
निर्माता:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N CH 100V 80A TO-220
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4.5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-220-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
61 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
8mOhm @ 40A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
ट्यूब
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
100 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
4369 पीएफ @ 50 वी
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
श्रृंखला:
डीपगेट™, स्ट्रिपफेट™ VII
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
को-220
एमएफआर:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
80 ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
150W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एसटीपी100
प्रमुखता देना:
STP100N10F7 पावर MOSFET
,STP100N10F7 सेमीकंडक्टर IC
,STP100N10F7 इलेक्ट्रॉनिक घटक
परिचय
एन-चैनल 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) छेद के माध्यम से TO-220
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