एसटीडी11एन65एम2
निर्माता:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
12.5 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
670mOhm @ 3.5A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
650 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 25 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
410 पीएफ @ 100 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
एमडीमेश ™ II प्लस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
डीपीएके
एमएफआर:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
7ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
85W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एसटीडी11
प्रमुखता देना:
STD11N65M2 पावर MOSFET
,STD11N65M2 सेमीकंडक्टर IC
,STD11N65M2 उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर
परिचय
एन-चैनल 650 V 7A (Tc) 85W (Tc) सतह माउंट DPAK
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