NTS4101PT1G
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
वीजीएस (अधिकतम):
±8V
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
1.37ए (ता)
@ qty:
0
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
9एनसी @ 4.5V
निर्माता:
एकमुश्त
न्यूनतम मात्रा:
3000
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
2.5V, 4.5V
Factory Stock:
0
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी सुविधा:
-
श्रृंखला:
-
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
840pF @ 20V
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
अनुसूचित जाति-70-3 (SOT323)
भाग की स्थिति:
सक्रिय
पैकेजिंग:
टेप और रील (TR)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
120 एमओहम @ 1ए, 4.5V
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
329mW (टा)
पैकेज / मामला:
एससी-70, एसओटी-323
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
1.5V @ 250µA
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
20 वी
प्रमुखता देना:
NTS4101PT1G सेमीकंडक्टर आईसी
,NTS4101PT1G ट्रांजिस्टर आईसी
,NTS4101PT1G इलेक्ट्रॉनिक घटक
परिचय
NTS4101PT1G,onsemi से,MOSFET है.हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है,जो मूल और नए भागों में हैं.यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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