SQJ182EP-T1_GE3
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निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
ऑटोमोटिव एन-चैनल 80 वी (डीएस)
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
96 एनसी @ 10 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
5392 पीएफ @ 25 वी
श्रृंखला:
ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3.5V @ 250μA
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
पॉवरपैक® SO-8
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
5mOhm @ 15A, 10V
एमएफआर:
विशाय सिलिकॉनिक्स
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
395W (Tc)
पैकेज / मामला:
पॉवरपैक® SO-8
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
80 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
210ए (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
एफईटी सुविधा:
-
परिचय
एन-चैनल 80 V 210A (Tc) 395W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® SO-8
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