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IRLL014TRPBF

निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-261-4, TO-261AA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
8.4 एनसी @ 5 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
200mOhm @ 1.6A, 5V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4वी, 5वी
पैकेज:
टेप और रील (TR) कट टेप (सीटी) Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
60 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 10 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
400 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
एसओटी-223
एमएफआर:
विशाय सिलिकॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
2.7ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
2W (Ta), 3.1W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
आईआरएलएल014
परिचय
एन-चैनल 60 V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) सतह माउंट SOT-223
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स्टॉक:
एमओक्यू: