आईआरएफडी110पीबीएफ
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निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
4-डीआईपी (0.300", 7.62 मिमी)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
8.3 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
540mOhm @ 600mA, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
ट्यूब
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
100 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
180 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
4-एचवीएमडीआईपी
एमएफआर:
विशाय सिलिकॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
1ए (ता)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
1.3W (टा)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
आईआरएफडी110
परिचय
एन-चैनल 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) होल 4-HVMDIP के माध्यम से
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| छवि | भाग # | विवरण | |
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