SQS481ENW-T1_GE3
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निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3.5V @ 250μA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
पावरपैक® 1212-8
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
11 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
1.095ओम @ 5ए, 10वी
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
150 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
385 पीएफ @ 75 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TrenchFET®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
पावरपैक® 1212-8
एमएफआर:
विशाय सिलिकॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
4.7ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
62.5W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
SQS481
परिचय
पी-चैनल 150 V 4.7A (Tc) 62.5W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® 1212-8
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