SISS42LDN-T1-GE3
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निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2.5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
पॉवरपैक® 1212-8एस
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
48 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
14.9mOhm @ 15ए, 10वी
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
100 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
2058 पीएफ @ 50 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
ट्रेंचफेट® जनरेशन IV
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
पॉवरपैक® 1212-8एस
एमएफआर:
विशाय सिलिकॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
11.3A (Ta), 39A (Tc)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
4.8W (टा), 57W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
SISS42
परिचय
एन-चैनल 100 V 11.3A (Ta), 39A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® 1212-8S
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| छवि | भाग # | विवरण | |
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