SI2333DS-T1-GE3
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निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
1V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
18 एनसी @ 4.5 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
32mOhm @ 5.3A, 4.5V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
1.8 वी, 4.5 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
12 वी
वीजीएस (अधिकतम):
±8V
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1100 पीएफ @ 6 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
ट्रेंचफेट®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
SOT-23-3 (TO-236)
एमएफआर:
विशाय सिलिकॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
4.1ए (टीए)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
750mW (ता)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एसआई2333
परिचय
पी-चैनल 12 V 4.1A (Ta) 750mW (Ta) सतह माउंट SOT-23-3 (TO-236)
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