SI4056ADY-T1-GE3
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निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
एफईटी सुविधा:
-
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2.5V @ 250µA
श्रृंखला:
ट्रेंचफेट®
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
29 एनसी @ 10 वी
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-एसओआईसी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
29.2mOhm @ 5.9A, 10V
एमएफआर:
विशाय सिलिकॉनिक्स
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1330 पीएफ @ 50 वी
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
100 वी
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
2.5W (Ta), 5W (Tc)
पैकेज / मामला:
8-SOIC (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
5.9ए (टीए), 8.3ए (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एसआई4056
परिचय
एन-चैनल 100 V 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) सतह माउंट 8-SOIC
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