SIR182DP-T1-RE3
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निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3.6V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
पॉवरपैक® SO-8
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
64 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
2.8mOhm @ 15A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
7.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
60 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
3250 पीएफ @ 30 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
ट्रेंचफेट® जनरेशन IV
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
पॉवरपैक® SO-8
एमएफआर:
विशाय सिलिकॉनिक्स
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
60ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
69.4W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एसआईआर182
परिचय
एन-चैनल 60 V 60A (Tc) 69.4W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® SO-8
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| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
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MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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आईआरएफपी448पीबीएफ |
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