RJK0346DPA-00#J0
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निर्माता:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
विवरण:
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
उत्पाद की स्थिति:
अप्रचलित
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
थोक
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
-
श्रृंखला:
-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
49 एनसी @ 4.5 वी
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-डब्ल्यूपीएके (3)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
2mOhm @ 32.5A, 10V
एमएफआर:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
परिचालन तापमान:
150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
7650 पीएफ @ 10 वी
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
65W (Tc)
पैकेज / मामला:
8-पॉवरडब्ल्यूडीएफएन
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
65ए (टीए)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
एफईटी सुविधा:
-
परिचय
एन-चैनल 30 V 65A (Ta) 65W (Tc) सतह माउंट 8-WPAK (3)
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| छवि | भाग # | विवरण | |
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HZS30NB2TD-ई |
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RJK0653DPB-00#J5 |
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RJK0351DPA-02#J0 |
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