RJK0653DPB-00#J5
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निर्माता:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
विवरण:
मॉसफेट एन-सीएच 60वी 45ए एलएफपीएके
श्रेणी:
सेमीकंडक्टर आई.सी
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2.5V @ 1mA
परिचालन तापमान:
150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
एससी-100, एसओटी-669
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
42 एनसी @ 4.5 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
4.8mOhm @ 22.5A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
60 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
6100 पीएफ @ 10 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
एलएफपीएके
एमएफआर:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
45A (Ta)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
65W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
RJK0653
परिचय
एन-चैनल 60 V 45A (Ta) 65W (Tc) सतह माउंट LFPAK
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| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
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HZS30NB2TD-ई |
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RJK0346DPA-00#J0 |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
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RJK0351DPA-02#J0 |
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RJK03D0DNS-00#J5 |
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CR02AM-8#BD0 |
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
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23S08T-1DCG8 |
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8432डीवाईआई-101एलएफ |
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